Teknologi.Bagian dari ensiklopedia.onlineCari/
BerandaElektronik & semikonduktorRadiation Tolerant High-Voltage Silicon Carbide Devices
Proyek riset & pengembangan

Radiation Tolerant High-Voltage Silicon Carbide Devices

Ringkasan tujuan riset

Struktur epitaksial SiC diteliti untuk memperbaiki ketahanan burnout akibat kejadian ion tunggal pada perangkat daya tegangan tinggi.

Elektronik & semikonduktor1 rujukanProfil diperbarui
Lihat rujukanBandingkan proyek
Linimasa NASA TechPort 103001Periode tercatat 2020-08-31 sampai 2021-03-01. TRL: awal 1, saat akses 4, target 4. Target bukan hasil.NASA TechPort 103001MulaiAkhir tercatat202020222020-08-312021-03-01TRL 1–9Awal1Saat akses4Target4
Linimasa dan catatan proyek

Tanggal dan TRL menurut catatan penerbit. Akhir periode dan target bukan bukti hasil riset.

Teknologi · CC BY 4.0 · Sumber data

Apa tujuan dan pendekatan risetnya?

Profil ini merangkum ruang lingkup proyek yang dipublikasikan NASA TechPort. Sumber diakses . Uraian pendekatan dan manfaat menyatakan tujuan pengembangan, kecuali sumber secara khusus melaporkan hasil.

LogiSiC dan Rensselaer Polytechnic Institute melanjutkan simulasi elektrotermal yang mengidentifikasi mekanisme kegagalan perangkat SiC vertikal saat terkena ion berat. Struktur epitaksial khusus digunakan sebagai dasar rancangan dioda Schottky yang menargetkan operasi pada bagian tegangan nominal lebih tinggi di lingkungan radiasi. Kajian awal mencakup fabrikasi perangkat dan perluasan analisis ke dioda serta MOSFET. Hasil ditujukan untuk rekomendasi struktur tahan radiasi pada beberapa kelas tegangan, sebelum manfaat ketahanan dapat dibuktikan lewat evaluasi perangkat.

Baca uraian penerbit

Manfaat yang dituju

Mendukung pengembangan komponen penyearah dan distribusi daya yang lebih sesuai bagi lingkungan radiasi.

Sasaran manfaat bukan jaminan kinerja, adopsi, atau ketersediaan produk.

Konteks pengembangan

Institusi pemimpin
LogiSiC Devices Inc
Program
Small Business Innovation Research/Small Business Tech Transfer
Periode proyek
2020-08-31 → 2021-03-01

Klasifikasi NASA

  • TX03.3.4 — Advanced Electronic Parts

Label penerbit dipertahankan sebagai konteks. Bidang katalog merupakan pengelompokan editorial.

Apa yang diketahui tentang statusnya?

Status proyek menurut NASACompleted
Awal proyekTRL 1
Tercatat saat aksesTRL 4
Target akhirTRL 4

TRL adalah tingkat kesiapan teknologi yang dilaporkan penerbit, pada skala 1–9. Nilai target akhir menunjukkan sasaran. Status “Completed” berarti proyek telah selesai menurut pencatatan NASA; status tersebut tidak membuktikan bahwa seluruh sasaran kinerja telah tercapai.

Batas informasi

Profil ini menjelaskan ruang lingkup riset dari catatan penerbit. Target pengembangan dan TRL akhir bukan bukti keberhasilan, ketersediaan produk, atau kelayakan penerapan. Tinjauan ahli dan pengujian performa independen belum dilakukan.

Dasar profil

Metodologi dan batas pemeriksaan. Ringkasan berbahasa Indonesia disusun sebagai parafrasa editorial dengan pemeriksaan sumber primer oleh agen AI. Identitas, periode, serta status berasal dari catatan penerbit. Tinjauan ahli dan pengujian kinerja independen belum dilakukan; rujukan tidak menyiratkan dukungan atau sertifikasi NASA.