Teknologi.Bagian dari ensiklopedia.onlineCari/
BerandaElektronik & semikonduktorSilicon Carbide-based Power Electronics for Small Fission Reactors
Proyek riset & pengembangan

Silicon Carbide-based Power Electronics for Small Fission Reactors

Ringkasan tujuan riset

Pemodelan dan pengujian radiasi menilai dioda serta MOSFET silikon karbida untuk elektronik daya sistem pembangkit fisi kecil.

Elektronik & semikonduktor1 rujukanProfil diperbarui
Lihat rujukanBandingkan proyek
Linimasa NASA TechPort 112845Periode tercatat 2019-08-19 sampai 2020-02-18. TRL: awal 3, saat akses 4, target 4. Target bukan hasil.NASA TechPort 112845MulaiAkhir tercatat201920212019-08-192020-02-18TRL 1–9Awal3Saat akses4Target4
Linimasa dan catatan proyek

Tanggal dan TRL menurut catatan penerbit. Akhir periode dan target bukan bukti hasil riset.

Teknologi · CC BY 4.0 · Sumber data

Apa tujuan dan pendekatan risetnya?

Profil ini merangkum ruang lingkup proyek yang dipublikasikan NASA TechPort. Sumber diakses . Uraian pendekatan dan manfaat menyatakan tujuan pengembangan, kecuali sumber secara khusus melaporkan hasil.

CFDRC, Vanderbilt, dan Wolfspeed memadukan simulasi transportasi radiasi dengan pemodelan perangkat TCAD untuk memahami respons SiC. Perhitungan dosis neutron serta gamma digunakan sebagai masukan model dioda dan MOSFET, lalu dibandingkan dengan pengujian sinar X dan radiasi lainnya. Kajian lanjutan mengevaluasi pengaruh suhu, bias, dan kejadian ion tunggal pada perangkat maupun rangkaian. Solusi rancangan yang menjanjikan akan dibuat serta diuji untuk meningkatkan toleransi elektronik pengelolaan dan konversi daya.

Baca uraian penerbit

Manfaat yang dituju

Mendukung elektronik daya yang harus bekerja pada suhu tinggi dan lingkungan radiasi misi permukaan.

Sasaran manfaat bukan jaminan kinerja, adopsi, atau ketersediaan produk.

Konteks pengembangan

Institusi pemimpin
CFD Research Corporation
Program
Small Business Innovation Research/Small Business Tech Transfer
Periode proyek
2019-08-19 → 2020-02-18

Klasifikasi NASA

  • TX03.3.4 — Advanced Electronic Parts

Label penerbit dipertahankan sebagai konteks. Bidang katalog merupakan pengelompokan editorial.

Apa yang diketahui tentang statusnya?

Status proyek menurut NASACompleted
Awal proyekTRL 3
Tercatat saat aksesTRL 4
Target akhirTRL 4

TRL adalah tingkat kesiapan teknologi yang dilaporkan penerbit, pada skala 1–9. Nilai target akhir menunjukkan sasaran. Status “Completed” berarti proyek telah selesai menurut pencatatan NASA; status tersebut tidak membuktikan bahwa seluruh sasaran kinerja telah tercapai.

Batas informasi

Profil ini menjelaskan ruang lingkup riset dari catatan penerbit. Target pengembangan dan TRL akhir bukan bukti keberhasilan, ketersediaan produk, atau kelayakan penerapan. Tinjauan ahli dan pengujian performa independen belum dilakukan.

Dasar profil

Metodologi dan batas pemeriksaan. Ringkasan berbahasa Indonesia disusun sebagai parafrasa editorial dengan pemeriksaan sumber primer oleh agen AI. Identitas, periode, serta status berasal dari catatan penerbit. Tinjauan ahli dan pengujian kinerja independen belum dilakukan; rujukan tidak menyiratkan dukungan atau sertifikasi NASA.