Teknologi.Bagian dari ensiklopedia.onlineCari/
BerandaElektronik & semikonduktorSilicon Carbide High Temperature Solid State Memory
Proyek riset & pengembangan

Silicon Carbide High Temperature Solid State Memory

Ringkasan tujuan riset

Sel memori berbasis silikon karbida yang diuji untuk penyimpanan data dan pencatatan pada suhu tinggi.

Elektronik & semikonduktor1 rujukanProfil diperbarui
Lihat rujukanBandingkan proyek
Linimasa NASA TechPort 125760Periode tercatat 2022-07-25 sampai 2023-01-25. TRL: awal 2, saat akses 4, target 4. Target bukan hasil.NASA TechPort 125760MulaiAkhir tercatat202220242022-07-252023-01-25TRL 1–9Awal2Saat akses4Target4
Linimasa dan catatan proyek

Tanggal dan TRL menurut catatan penerbit. Akhir periode dan target bukan bukti hasil riset.

Teknologi · CC BY 4.0 · Sumber data

Apa tujuan dan pendekatan risetnya?

Profil ini merangkum ruang lingkup proyek yang dipublikasikan NASA TechPort. Sumber diakses . Uraian pendekatan dan manfaat menyatakan tujuan pengembangan, kecuali sumber secara khusus melaporkan hasil.

Penelitian merancang dan membuat sel DRAM serta SRAM berbahan silikon karbida untuk lingkungan yang terlalu panas bagi elektronik silikon biasa. Pada sel DRAM satu kapasitor dan satu transistor, kebocoran sambungan p-n menentukan seberapa lama muatan tersimpan. Kebocoran rendah SiC memberi dugaan waktu retensi lebih panjang, sehingga kebutuhan penyegaran mungkin berkurang. Analisis kelayakan, eksperimen kecil, dan demonstrasi konsep digunakan untuk memeriksa dugaan tersebut. Sifat memori praktis tidak volatil masih merupakan hipotesis yang diuji, bukan kemampuan yang sudah dijamin.

Baca uraian penerbit

Manfaat yang dituju

Ditujukan bagi pencatatan sensor planet panas dan instrumentasi pengeboran lingkungan ekstrem.

Sasaran manfaat bukan jaminan kinerja, adopsi, atau ketersediaan produk.

Konteks pengembangan

Institusi pemimpin
CoolCAD Electronics, LLC
Program
Small Business Innovation Research/Small Business Tech Transfer
Periode proyek
2022-07-25 → 2023-01-25

Klasifikasi NASA

  • TX03.3.4 — Advanced Electronic Parts

Label penerbit dipertahankan sebagai konteks. Bidang katalog merupakan pengelompokan editorial.

Apa yang diketahui tentang statusnya?

Status proyek menurut NASACompleted
Awal proyekTRL 2
Tercatat saat aksesTRL 4
Target akhirTRL 4

TRL adalah tingkat kesiapan teknologi yang dilaporkan penerbit, pada skala 1–9. Nilai target akhir menunjukkan sasaran. Status “Completed” berarti proyek telah selesai menurut pencatatan NASA; status tersebut tidak membuktikan bahwa seluruh sasaran kinerja telah tercapai.

Batas informasi

Profil ini menjelaskan ruang lingkup riset dari catatan penerbit. Target pengembangan dan TRL akhir bukan bukti keberhasilan, ketersediaan produk, atau kelayakan penerapan. Tinjauan ahli dan pengujian performa independen belum dilakukan.

Dasar profil

Metodologi dan batas pemeriksaan. Ringkasan berbahasa Indonesia disusun sebagai parafrasa editorial dengan pemeriksaan sumber primer oleh agen AI. Identitas, periode, serta status berasal dari catatan penerbit. Tinjauan ahli dan pengujian kinerja independen belum dilakukan; rujukan tidak menyiratkan dukungan atau sertifikasi NASA.