Teknologi.Bagian dari ensiklopedia.onlineCari/
BerandaElektronik & semikonduktorSiC Mosfet with Radiation-Resistant Gate Oxide Performance to 600V
Proyek riset & pengembangan

SiC Mosfet with Radiation-Resistant Gate Oxide Performance to 600V

Ringkasan tujuan riset

MOSFET silikon karbida ini meneliti lapisan pelindung P+ untuk mengurangi kerusakan gerbang dan kegagalan akibat tumbukan ion berenergi tinggi pada lingkungan antariksa.

Elektronik & semikonduktor1 rujukanProfil diperbarui
Lihat rujukanBandingkan proyek
Linimasa NASA TechPort 154426Periode tercatat 2023-06-06 sampai 2025-12-25. TRL: awal 1, saat akses 1, target 4. Target bukan hasil.NASA TechPort 154426MulaiAkhir tercatat202320262023-06-062025-12-25TRL 1–9Awal1Saat akses1Target4
Linimasa dan catatan proyek

Tanggal dan TRL menurut catatan penerbit. Akhir periode dan target bukan bukti hasil riset.

Teknologi · CC BY 4.0 · Sumber data

Apa tujuan dan pendekatan risetnya?

Profil ini merangkum ruang lingkup proyek yang dipublikasikan NASA TechPort. Sumber diakses . Uraian pendekatan dan manfaat menyatakan tujuan pengembangan, kecuali sumber secara khusus melaporkan hasil.

Ion berat dapat menghasilkan pasangan elektron–lubang yang terkumpul di antarmuka oksida gerbang dan memicu kerusakan ketika medan terlalu kuat. Rancangan lapisan P+ diarahkan untuk mengalihkan lubang dari oksida serta membatasi kondisi panas pemicu kegagalan. Pengembangan mencakup desain, fabrikasi, dan pengujian radiasi yang datanya dipakai untuk mengalibrasi simulasi. Iterasi rancangan berikutnya kemudian dievaluasi lagi, sehingga hasil simulasi tidak diperlakukan sebagai kemampuan perangkat akhir yang sudah terbukti.

Baca uraian penerbit

Konteks pengembangan

Institusi pemimpin
Glenn Research Center
Program
Small Business Innovation Research/Small Business Tech Transfer
Periode proyek
2023-06-06 → 2025-12-25

Klasifikasi NASA

  • TX03 — Aerospace Power and Energy Storage

Label penerbit dipertahankan sebagai konteks. Bidang katalog merupakan pengelompokan editorial.

Apa yang diketahui tentang statusnya?

Status proyek menurut NASACompleted
Awal proyekTRL 1
Tercatat saat aksesTRL 1
Target akhirTRL 4

TRL adalah tingkat kesiapan teknologi yang dilaporkan penerbit, pada skala 1–9. Nilai target akhir menunjukkan sasaran. Status “Completed” berarti proyek telah selesai menurut pencatatan NASA; status tersebut tidak membuktikan bahwa seluruh sasaran kinerja telah tercapai.

Batas informasi

Profil ini menjelaskan ruang lingkup riset dari catatan penerbit. Target pengembangan dan TRL akhir bukan bukti keberhasilan, ketersediaan produk, atau kelayakan penerapan. Tinjauan ahli dan pengujian performa independen belum dilakukan.

Dasar profil

Metodologi dan batas pemeriksaan. Ringkasan berbahasa Indonesia disusun sebagai parafrasa editorial dengan pemeriksaan sumber primer oleh agen AI. Identitas, periode, serta status berasal dari catatan penerbit. Tinjauan ahli dan pengujian kinerja independen belum dilakukan; rujukan tidak menyiratkan dukungan atau sertifikasi NASA.