Proyek riset & pengembangan

Radiation-Hardening of Best-In-Class SiGe Mixed-Signal and RF Electronics for Ultra-Wide Temperature Range

Ringkasan tujuan riset

Proyek ini mengembangkan teknik pengerasan radiasi untuk sirkuit SiGe BiCMOS analog, sinyal campuran, dan RF yang harus bekerja pada rentang suhu ekstrem.

Elektronik & semikonduktor1 rujukanProfil diperbarui
Linimasa NASA TechPort 18432Periode tercatat 2014-06-20 sampai 2014-12-19. TRL: awal 2, saat akses 4, target 4. Target bukan hasil.NASA TechPort 18432MulaiAkhir tercatat201420152014-06-202014-12-19TRL 1–9Awal2Saat akses4Target4
Linimasa dan catatan proyek

Tanggal dan TRL menurut catatan penerbit. Akhir periode dan target bukan bukti hasil riset.

Teknologi · CC BY 4.0 · Sumber data

Proyek riset & pengembangan

Apa tujuan dan pendekatan risetnya?

Profil ini merangkum ruang lingkup proyek yang dipublikasikan NASA TechPort. Sumber diakses . Uraian pendekatan dan manfaat menyatakan tujuan pengembangan, kecuali sumber secara khusus melaporkan hasil.

Teknologi IBM 9HP SiGe BiCMOS menjadi dasar penelitian sirkuit untuk lingkungan antariksa yang sulit. Tim mempelajari mekanisme kegagalan akibat radiasi dan suhu, memvalidasi model perangkat, serta menyiapkan data dan alat CAD bagi perancang. Teknik radiation-hardening-by-design diterapkan pada rangkaian analog, sinyal campuran, dan RF sebelum optimasi, fabrikasi, serta pengujian. Pendekatan ini menempatkan karakterisasi perangkat dan rancangan rangkaian dalam satu proses agar ketahanan lingkungan dapat diperiksa bersama kebutuhan kinerja elektronik.

Baca uraian penerbit

Konteks pengembangan

Institusi pemimpin
CFD Research Corporation
Program
Small Business Innovation Research/Small Business Tech Transfer
Periode proyek
2014-06-20 → 2014-12-19

Klasifikasi NASA

  • TX05.2.2 — Power Efficiency

Label penerbit dipertahankan sebagai konteks. Bidang katalog merupakan pengelompokan editorial.

Apa yang diketahui tentang statusnya?

Status proyek menurut NASACompleted
Awal proyekTRL 2
Tercatat saat aksesTRL 4
Target akhirTRL 4

TRL adalah tingkat kesiapan teknologi yang dilaporkan penerbit, pada skala 1–9. Nilai target akhir menunjukkan sasaran. Status “Completed” berarti proyek telah selesai menurut pencatatan NASA; status tersebut tidak membuktikan bahwa seluruh sasaran kinerja telah tercapai.

Batas informasi

Profil ini menjelaskan ruang lingkup riset dari catatan penerbit. Target pengembangan dan TRL akhir bukan bukti keberhasilan, ketersediaan produk, atau kelayakan penerapan. Tinjauan ahli dan pengujian performa independen belum dilakukan.

Dasar profil

Metodologi dan batas pemeriksaan. Ringkasan berbahasa Indonesia disusun sebagai parafrasa editorial dengan pemeriksaan sumber primer oleh agen AI. Identitas, periode, serta status berasal dari catatan penerbit. Tinjauan ahli dan pengujian kinerja independen belum dilakukan; rujukan tidak menyiratkan dukungan atau sertifikasi NASA.