Teknologi.Bagian dari ensiklopedia.onlineCari/
BerandaElektronik & semikonduktorRadiation Induced Fault Analysis for Wide Temperature BiCMOS Circuits
Proyek riset & pengembangan

Radiation Induced Fault Analysis for Wide Temperature BiCMOS Circuits

Ringkasan tujuan riset

Analisis gangguan radiasi pada rangkaian BiCMOS diperluas dengan model kompak yang menghubungkan simulasi perangkat, tata letak, dan variasi suhu operasi.

Elektronik & semikonduktor1 rujukanProfil diperbarui
Lihat rujukanBandingkan proyek
Linimasa NASA TechPort 8956Periode tercatat 2010-01-29 sampai 2010-07-29. TRL: awal 4, saat akses 6, target 6. Target bukan hasil.NASA TechPort 8956MulaiAkhir tercatat201020112010-01-292010-07-29TRL 1–9Awal4Saat akses6Target6
Linimasa dan catatan proyek

Tanggal dan TRL menurut catatan penerbit. Akhir periode dan target bukan bukti hasil riset.

Teknologi · CC BY 4.0 · Sumber data

Apa tujuan dan pendekatan risetnya?

Profil ini merangkum ruang lingkup proyek yang dipublikasikan NASA TechPort. Sumber diakses . Uraian pendekatan dan manfaat menyatakan tujuan pengembangan, kecuali sumber secara khusus melaporkan hasil.

Teknik desain tahan radiasi perlu memperhitungkan perubahan suhu lebar pada proses silikon germanium BiCMOS. Proyek ini membawa efek radiasi dari simulasi TCAD ke simulator rangkaian komersial melalui penyusunan model kompak. Model yang memuat efek radiasi dipakai pada LynRad Fault Analyzer bersama skema rangkaian, tata letak, dan skenario sinar kosmik. Pengembangan memperluas analisis menuju rangkaian analog serta mixed signal BiCMOS, sehingga pengaruh suhu dan kejadian radiasi dapat dipertimbangkan dalam otomasi desain.

Baca uraian penerbit

Konteks pengembangan

Institusi pemimpin
Lynguent, Inc.
Program
Small Business Innovation Research/Small Business Tech Transfer
Periode proyek
2010-01-29 → 2010-07-29

Klasifikasi NASA

  • TX10.1.4 — Hazard Assessment

Label penerbit dipertahankan sebagai konteks. Bidang katalog merupakan pengelompokan editorial.

Apa yang diketahui tentang statusnya?

Status proyek menurut NASACompleted
Awal proyekTRL 4
Tercatat saat aksesTRL 6
Target akhirTRL 6

TRL adalah tingkat kesiapan teknologi yang dilaporkan penerbit, pada skala 1–9. Nilai target akhir menunjukkan sasaran. Status “Completed” berarti proyek telah selesai menurut pencatatan NASA; status tersebut tidak membuktikan bahwa seluruh sasaran kinerja telah tercapai.

Batas informasi

Profil ini menjelaskan ruang lingkup riset dari catatan penerbit. Target pengembangan dan TRL akhir bukan bukti keberhasilan, ketersediaan produk, atau kelayakan penerapan. Tinjauan ahli dan pengujian performa independen belum dilakukan.

Dasar profil

Metodologi dan batas pemeriksaan. Ringkasan berbahasa Indonesia disusun sebagai parafrasa editorial dengan pemeriksaan sumber primer oleh agen AI. Identitas, periode, serta status berasal dari catatan penerbit. Tinjauan ahli dan pengujian kinerja independen belum dilakukan; rujukan tidak menyiratkan dukungan atau sertifikasi NASA.