Tanggal dan TRL menurut catatan penerbit. Akhir periode dan target bukan bukti hasil riset.
Teknologi · CC BY 4.0 · Sumber data
Apa tujuan dan pendekatan risetnya?
Profil ini merangkum ruang lingkup proyek yang dipublikasikan NASA TechPort. Sumber diakses . Uraian pendekatan dan manfaat menyatakan tujuan pengembangan, kecuali sumber secara khusus melaporkan hasil.
Usulan membangun penguat daya pita V dengan cip MMIC GaN dan menggabungkan beberapa cip melalui penggabung H-tee berefisiensi tinggi. Operasi bertegangan tinggi ditujukan untuk mengurangi kerugian pencocokan serta penggabungan sel, sehingga efisiensi rangkaian dapat meningkat. Sumber menyebut simulasi komputer sebagai dasar potensi performanya. Angka efisiensi dan daya yang diusulkan merupakan sasaran desain atau hasil simulasi, sehingga tidak setara dengan hasil pengukuran penguat lengkap.
Konteks pengembangan
- Institusi pemimpin
- Quinstar Technology, Inc.
- Program
- Small Business Innovation Research/Small Business Tech Transfer
- Periode proyek
- 2018-07-27 → 2019-02-15
Klasifikasi NASA
- TX05.2.2 — Power Efficiency
Label penerbit dipertahankan sebagai konteks. Bidang katalog merupakan pengelompokan editorial.
Apa yang diketahui tentang statusnya?
TRL adalah tingkat kesiapan teknologi yang dilaporkan penerbit, pada skala 1–9. Nilai target akhir menunjukkan sasaran. Status “Completed” berarti proyek telah selesai menurut pencatatan NASA; status tersebut tidak membuktikan bahwa seluruh sasaran kinerja telah tercapai.
Batas informasi
Profil ini menjelaskan ruang lingkup riset dari catatan penerbit. Target pengembangan dan TRL akhir bukan bukti keberhasilan, ketersediaan produk, atau kelayakan penerapan. Tinjauan ahli dan pengujian performa independen belum dilakukan.
Dasar profil
- NASA TechPort: High-Efficiency, V-Band Solid-State Power Amplifier Using GaN ↗
NASA TechPort · Pembaruan sumber 01/22/26
Diakses 2026-10-13. Rujukan primer dengan atribusi. Uraian Indonesia adalah parafrasa editorial; hak dokumen dan aset upstream mengikuti pemiliknya.