Teknologi.Bagian dari ensiklopedia.onlineCari/
BerandaElektronik & semikonduktorDesign and Engineering of High Aspect Ratio Beta-Ga2O3 FinFETs using MOCVD Based In situ Ga Etching
Proyek riset & pengembangan

Design and Engineering of High Aspect Ratio Beta-Ga2O3 FinFETs using MOCVD Based In situ Ga Etching

Ringkasan tujuan riset

FinFET beta-Ga2O3 berasio aspek tinggi dikembangkan lewat etsa gallium in situ untuk mengendalikan medan, resistansi keadaan hidup dan tegangan tembus.

Elektronik & semikonduktor1 rujukanProfil diperbarui
Lihat rujukanBandingkan proyek
Linimasa NSF 2336397Periode tercatat 2024-10-01 sampai 2027-09-30.NSF 2336397MulaiAkhir tercatat202420282024-10-012027-09-30
Linimasa dan catatan proyek

Tanggal dan TRL menurut catatan penerbit. Akhir periode dan target bukan bukti hasil riset.

Teknologi · CC BY 4.0 · Sumber data

Apa tujuan dan pendekatan risetnya?

Profil ini merangkum ruang lingkup proyek yang dipublikasikan National Science Foundation (NSF). Sumber diakses . Uraian pendekatan dan manfaat menyatakan tujuan pengembangan, kecuali sumber secara khusus melaporkan hasil.

Etsa dalam reaktor MOCVD menargetkan sirip tinggi dengan dinding vertikal dan kerusakan permukaan rendah. Etsa diikuti pertumbuhan ulang menelaah kontak ohmik serta antarmuka dielektrik, disertai penggunaan bahan berpermitivitas tinggi untuk pengelolaan medan. Operasi normally-off juga diteliti. Tujuannya mendekati potensi material bercelah pita sangat lebar, karena performa transistor daya Ga2O3 saat ini masih jauh dari batas teoritis dibandingkan perkembangan dioda.

Baca uraian penerbit

Konteks pengembangan

Institusi penerima pada catatan
Arizona State University
Program
EPMQD: Electronic, Photonic, M
Periode pendanaan tercatat
2024-10-01 → 2027-09-30

Proyek kolaboratif beberapa institusi diwakili oleh satu catatan penghargaan. Institusi di atas adalah penerima pada catatan tersebut.

Klasifikasi NSF

  • Directorate for Engineering
  • Electrical, Communications, & Cyber Systems

Label penerbit dipertahankan sebagai konteks. Bidang katalog merupakan pengelompokan editorial.

Apa yang diketahui tentang statusnya?

Status pendanaan menurut NSFAktif (catatan pendanaan NSF)

Catatan NSF tidak melaporkan tingkat kesiapan teknologi (TRL). Status pendanaan aktif atau berakhir bukan bukti keberhasilan riset.

Batas informasi

Profil merangkum tujuan dan pendekatan dalam abstrak pendanaan NSF. Status pendanaan tidak membuktikan keberhasilan riset, kesiapan teknologi, atau ketersediaan produk. Hasil dan performa belum diverifikasi secara independen; tinjauan ahli belum dilakukan.

Dasar profil

Metodologi dan batas pemeriksaan. Ringkasan berbahasa Indonesia disusun sebagai parafrasa editorial dengan pemeriksaan sumber primer oleh agen AI. Identitas, periode, serta status berasal dari catatan penerbit. Tinjauan ahli dan pengujian kinerja independen belum dilakukan; rujukan tidak menyiratkan dukungan atau sertifikasi NSF.