Teknologi.Bagian dari ensiklopedia.onlineCari/
BerandaElektronik & semikonduktorCollaborative Research: Radiation-Tolerant and Thermally Managed High-Voltage Gallium Oxide Power Diodes for High-Power Space Electronics
Proyek riset & pengembangan

Collaborative Research: Radiation-Tolerant and Thermally Managed High-Voltage Gallium Oxide Power Diodes for High-Power Space Electronics

Ringkasan tujuan riset

Dioda daya vertikal gallium oxide akan menggabungkan lapisan diamond, rekayasa medan, dan pengujian radiasi untuk menilai reliabilitas pada lingkungan antariksa.

Elektronik & semikonduktor1 rujukanProfil diperbarui
Lihat rujukanBandingkan proyek
Linimasa NSF 2532898Periode tercatat 2025-10-01 sampai 2028-09-30.NSF 2532898MulaiAkhir tercatat202520292025-10-012028-09-30
Linimasa dan catatan proyek

Tanggal dan TRL menurut catatan penerbit. Akhir periode dan target bukan bukti hasil riset.

Teknologi · CC BY 4.0 · Sumber data

Apa tujuan dan pendekatan risetnya?

Profil ini merangkum ruang lingkup proyek yang dipublikasikan National Science Foundation (NSF). Sumber diakses . Uraian pendekatan dan manfaat menyatakan tujuan pengembangan, kecuali sumber secara khusus melaporkan hasil.

Lapisan beta-Ga₂O₃ rendah cacat ditumbuhkan dengan LPCVD dan dietsa tanpa plasma menjadi fin atau trench. Diamond polikristalin serta interlayer termal meningkatkan pembuangan panas. Heterojunction p-n dan dielektrik permitivitas tinggi mengatur medan listrik. Paparan radiasi, uji temperatur tinggi, serta simulasi terkopel menilai degradasi dan interaksi dopan-cacat, sehingga ketahanan tidak diasumsikan hanya dari pilihan material wide-bandgap.

Baca uraian penerbit

Konteks pengembangan

Institusi penerima pada catatan
University of Massachusetts Lowell
Program
EPMQD: Electronic, Photonic, M
Periode pendanaan tercatat
2025-10-01 → 2028-09-30

Proyek kolaboratif beberapa institusi diwakili oleh satu catatan penghargaan. Institusi di atas adalah penerima pada catatan tersebut.

Klasifikasi NSF

  • Directorate for Engineering
  • Electrical, Communications, & Cyber Systems

Label penerbit dipertahankan sebagai konteks. Bidang katalog merupakan pengelompokan editorial.

Apa yang diketahui tentang statusnya?

Status pendanaan menurut NSFAktif (catatan pendanaan NSF)

Catatan NSF tidak melaporkan tingkat kesiapan teknologi (TRL). Status pendanaan aktif atau berakhir bukan bukti keberhasilan riset.

Batas informasi

Profil merangkum tujuan dan pendekatan dalam abstrak pendanaan NSF. Status pendanaan tidak membuktikan keberhasilan riset, kesiapan teknologi, atau ketersediaan produk. Hasil dan performa belum diverifikasi secara independen; tinjauan ahli belum dilakukan.

Dasar profil

Metodologi dan batas pemeriksaan. Ringkasan berbahasa Indonesia disusun sebagai parafrasa editorial dengan pemeriksaan sumber primer oleh agen AI. Identitas, periode, serta status berasal dari catatan penerbit. Tinjauan ahli dan pengujian kinerja independen belum dilakukan; rujukan tidak menyiratkan dukungan atau sertifikasi NSF.