Proyek riset & pengembangan

CAREER: Monolithic 3D Oxide Semiconductor Nanoelectronics for Energy-Efficient Computing

Ringkasan tujuan riset

Transistor nanosheet semikonduktor oksida amorf diteliti untuk integrasi monolitik tiga dimensi, menghubungkan batas scaling dengan transport, pemanasan mandiri, serta keandalan perangkat.

Elektronik & semikonduktor1 rujukanProfil diperbarui
Linimasa NSF 2541681Periode tercatat 2026-05-01 sampai 2031-04-30.NSF 2541681MulaiAkhir tercatat202620322026-05-012031-04-30
Linimasa dan catatan proyek

Tanggal dan TRL menurut catatan penerbit. Akhir periode dan target bukan bukti hasil riset.

Teknologi · CC BY 4.0 · Sumber data

Proyek riset & pengembangan

Apa tujuan dan pendekatan risetnya?

Transistor bertumpuk dibuat dan dikarakterisasi secara listrik serta termal. Model berbasis fisika diterjemahkan menjadi model kompak untuk simulasi rangkaian dan multiskala. Digital twin menyatukan fabrikasi, karakterisasi, serta prediksi agar ruang desain dapat ditelusuri lebih cepat. Penelitian menargetkan perangkat nonplanar yang dapat ditumpuk pada suhu proses rendah, sebagai fondasi sistem komputasi hemat energi dengan jarak komunikasi antarlapis lebih pendek.

Profil ini merangkum ruang lingkup proyek yang dipublikasikan National Science Foundation (NSF). Sumber diakses . Uraian pendekatan dan manfaat menyatakan tujuan pengembangan, kecuali sumber secara khusus melaporkan hasil.

Baca uraian penerbit

Konteks pengembangan

Institusi penerima pada catatan
University of Texas at Dallas
Program
EPMQD: Electronic, Photonic, M
Periode pendanaan tercatat
2026-05-01 → 2031-04-30

Proyek kolaboratif beberapa institusi diwakili oleh satu catatan penghargaan. Institusi di atas adalah penerima pada catatan tersebut.

Klasifikasi NSF

  • Directorate for Engineering
  • Electrical, Communications, & Cyber Systems

Label penerbit dipertahankan sebagai konteks. Bidang katalog merupakan pengelompokan editorial.

Apa yang diketahui tentang statusnya?

Status pendanaan menurut NSFAktif (catatan pendanaan NSF)

Catatan NSF tidak melaporkan tingkat kesiapan teknologi (TRL). Status pendanaan aktif atau berakhir bukan bukti keberhasilan riset.

Batas informasi

Profil merangkum tujuan dan pendekatan dalam abstrak pendanaan NSF. Status pendanaan tidak membuktikan keberhasilan riset, kesiapan teknologi, atau ketersediaan produk. Hasil dan performa belum diverifikasi secara independen; tinjauan ahli belum dilakukan.

Dasar profil

Metodologi dan batas pemeriksaan. Ringkasan berbahasa Indonesia disusun sebagai parafrasa editorial dengan pemeriksaan sumber primer oleh agen AI. Identitas, periode, serta status berasal dari catatan penerbit. Tinjauan ahli dan pengujian kinerja independen belum dilakukan; rujukan tidak menyiratkan dukungan atau sertifikasi NSF.