Proyek riset & pengembangan

CAREER: Degradation-Aware GaN Electronics for Mixed-Signal Integration in Extreme Environments

Ringkasan tujuan riset

Desain sirkuit sinyal campuran galium nitrida diteliti dengan model degradasi akibat panas dan radiasi, untuk menghubungkan perubahan bahan dengan keandalan penguat serta elemen pewaktuan.

Elektronik & semikonduktor1 rujukanProfil diperbarui
Linimasa NSF 2542756Periode tercatat 2026-07-01 sampai 2031-06-30.NSF 2542756MulaiAkhir tercatat202620322026-07-012031-06-30
Linimasa dan catatan proyek

Tanggal dan TRL menurut catatan penerbit. Akhir periode dan target bukan bukti hasil riset.

Teknologi · CC BY 4.0 · Sumber data

Proyek riset & pengembangan

Apa tujuan dan pendekatan risetnya?

Profil ini merangkum ruang lingkup proyek yang dipublikasikan National Science Foundation (NSF). Sumber diakses . Uraian pendekatan dan manfaat menyatakan tujuan pengembangan, kecuali sumber secara khusus melaporkan hasil.

Transistor InAlN/GaN dan komponen pasif terintegrasi akan dikarakterisasi bersama model elektrotermal serta ekstraksi model kompak. Proses gerbang dan metalisasi disesuaikan untuk sasaran operasi di atas 500 derajat Celsius. Osilator cincin berfungsi sebagai elemen waktu dan pemantau degradasi, sementara penguat derau rendah menilai kinerja analog. Uji tungku berkepanjangan, siklus termal, serta iradiasi neutron dan elektron digunakan untuk merumuskan aturan desain, bukan menganggap daya tahan sudah terbukti.

Baca uraian penerbit

Konteks pengembangan

Institusi penerima pada catatan
Columbia University
Program
EPMQD: Electronic, Photonic, M
Periode pendanaan tercatat
2026-07-01 → 2031-06-30

Proyek kolaboratif beberapa institusi diwakili oleh satu catatan penghargaan. Institusi di atas adalah penerima pada catatan tersebut.

Klasifikasi NSF

  • Directorate for Engineering
  • Electrical, Communications, & Cyber Systems

Label penerbit dipertahankan sebagai konteks. Bidang katalog merupakan pengelompokan editorial.

Apa yang diketahui tentang statusnya?

Status pendanaan menurut NSFAktif (catatan pendanaan NSF)

Catatan NSF tidak melaporkan tingkat kesiapan teknologi (TRL). Status pendanaan aktif atau berakhir bukan bukti keberhasilan riset.

Batas informasi

Profil merangkum tujuan dan pendekatan dalam abstrak pendanaan NSF. Status pendanaan tidak membuktikan keberhasilan riset, kesiapan teknologi, atau ketersediaan produk. Hasil dan performa belum diverifikasi secara independen; tinjauan ahli belum dilakukan.

Dasar profil

Metodologi dan batas pemeriksaan. Ringkasan berbahasa Indonesia disusun sebagai parafrasa editorial dengan pemeriksaan sumber primer oleh agen AI. Identitas, periode, serta status berasal dari catatan penerbit. Tinjauan ahli dan pengujian kinerja independen belum dilakukan; rujukan tidak menyiratkan dukungan atau sertifikasi NSF.